晶圓切割設(shè)備
晶圓切割設(shè)備
激光隱形切割是激光切割晶片的一種方案，很好地避免了砂輪雕刻的問題。激光隱身切割將脈沖激光的單脈沖通過光學(xué)成型，通過材料表面聚焦于材料內(nèi)部，聚焦區(qū)域能量密度高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，導(dǎo)致材料變形出現(xiàn)裂紋。各激光脈沖等距作用可以形成等距損傷，在材料內(nèi)部形成變質(zhì)層。在變質(zhì)層中，材料的分子結(jié)合被破壞，材料的連接減弱，容易分離。切割完成后，通過拉伸軸承膜分離產(chǎn)品，并在芯片和芯片之間形成間隙。這種加工方式避免了機(jī)器的直接接觸和純凈水現(xiàn)象造成的破壞。目前，激光隱身切割技術(shù)可應(yīng)用于藍(lán)寶石/玻璃/硅及多種化合物半導(dǎo)體晶圓。
設(shè)備參數(shù)
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